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光伏 PID 系列③:温度、湿度、玻璃与胶膜,决定 PID 发不发生的另一半条件 ​

光伏 PID 系列 · 第 3 篇

同样的 1500 V 系统、同样处在负极端,为什么有的组件十年无恙,有的两三年就明显衰减?第一篇说过,高电压差只是“必要条件”。这一篇,我们把另一半条件补齐:环境和材料。

01先认识一个中间量:漏电流 ​

电压差本身不会伤害电池。它要变成 PID,必须先在边框(大地)和电池片之间驱动出一股微弱的电流,也就是漏电流。前两篇讲到的钠离子迁移、电荷积聚,都是搭着这股电流发生的。

所以可以把问题简化成一句话:漏电流越大、持续时间越长,PID 来得越快。

图1 边框与电池片之间的四条漏电流路径(示意)

图1 边框与电池片之间的四条漏电流路径(示意)

漏电流有好几条路可走,其中最重要的是第 1 条:沿玻璃表面铺开,再穿过玻璃和胶膜到达电池片。原因很直接,PID-s 的钠离子就来自正面玻璃。

一个好用的思考框架

漏电流 ≈ 电压差 ÷ 回路电阻

回路电阻由玻璃表面、玻璃体、胶膜三段串联而成。环境主要改变玻璃表面和材料的电阻,材料决定玻璃体和胶膜的电阻。后面所有的影响因素,都可以放回这个式子里理解。

02环境因素:温度和湿度 ​

温度:让一切“跑得更快” ​

玻璃和胶膜都是绝缘体,但它们的电阻率会随温度升高而指数式下降,离子在其中的迁移也随之加快。经验上,组件温度每升高十来度,漏电流就可能成倍增加。

夏季正午,组件工作温度可以比环境温度高出二三十度。这也是为什么 PID 在炎热地区发展得更快,以及加速测试为什么都选在高温下进行:IEC TS 62804-1 的常用条件是 60 °C / 85 %RH,IEC 61215 中的 MQT 21 则用 85 °C / 85 %RH。

湿度:把整块玻璃变成“接地电极” ​

干燥的玻璃表面电阻很高,接地的只有边框,电场主要集中在靠近边框的那一圈电池片上,所以 PID 常常从组件边缘开始。

一旦玻璃表面结露、淋雨或处于高湿环境,表面会形成一层导电的水膜,整块玻璃表面都近似变成了 0 V,每一片电池都直接暴露在完整的电压差之下。

湿度还有第二重作用:水汽会慢慢渗入胶膜,降低胶膜本身的电阻率;对 EVA 来说,水汽还会促使其水解产生醋酸,进一步恶化绝缘和腐蚀环境。

两者叠加:一天里的两个高峰 ​

图2 户外组件漏电流的日变化规律(示意)

图2 户外组件漏电流的日变化规律(示意)

户外监测研究发现,漏电流在一天之中有两个高峰:清晨的峰由露水主导,午间较宽的峰由温度主导。清晨组件表面还挂着露水,太阳一出来组串电压就已建立,“又湿又有电压”,是一天里应力最集中的时段。

放大到气候:哪里最容易出问题 ​

图3 不同温湿度组合下的 PID 风险(定性示意)

图3 不同温湿度组合下的 PID 风险(定性示意)

行业对出现 PID 的电站做过归纳:相当大的比例位于气候温暖、靠近海岸的地区。除了高温高湿,沿海的盐雾会进一步提高玻璃表面的导电性。近几年大量上马的水面电站、渔光互补项目,也属于需要重点关注的场景。

干燥地区并非可以高枕无忧:昼夜温差大的地方夜间容易结露,组件表面的积灰吸潮后同样能导电。

03材料因素之一:玻璃 ​

光伏玻璃普遍使用钠钙玻璃,氧化钠含量在百分之十几的水平,是 PID-s 中钠离子的主要来源。早期研究做过对照:把正面玻璃换成不含钠的材料(如石英玻璃),PID-s 基本不再出现。

问题在于,无钠或低钠的特种玻璃成本高得多,在大规模组件上并不现实。所以行业的主流思路不是“换玻璃”,而是“把路堵在玻璃后面”,也就是下一节的胶膜。

需要额外留意的是双玻组件。背面也换成玻璃后,背面多了一个钠源和一条漏电路径(图 1 中的第 4 条);而双面电池的背面恰好没有整面铝层保护。上一篇讲的双面 PERC 背面 PID-p 和 PID-c,根源就在这里。

此外,边框和安装方式也有影响:无边框组件、用夹具固定的组件,接地金属与玻璃的接触面积小,漏电流的“入口”也相应变窄。

04材料因素之二:封装胶膜 ​

胶膜夹在玻璃和电池片之间,是漏电回路上最关键的一段。衡量它的核心指标是体积电阻率:电阻率越高,漏电流越小,离子越难穿过。

图4 EVA、POE、EPE 三种封装胶膜对比

图4 EVA、POE、EPE 三种封装胶膜对比

指标EVAPOE
体积电阻率(常温)常规约 10¹⁴ Ω·cm 量级,抗 PID 型可达 10¹⁵高,可达 10¹⁵~10¹⁶ Ω·cm
水汽透过率较高低,约为 EVA 的几分之一
老化副产物水解产生醋酸不产生醋酸
成本与工艺成本低,工艺成熟成本高,层压窗口窄

表中为典型量级,不同厂家、不同牌号差异明显,请以具体规格书和实测为准。有两点值得强调:

  • 同是 EVA,差别可以很大。不同供应商的 EVA,体积电阻率可以相差一个数量级;所谓“抗 PID 型 EVA”,就是通过配方把电阻率做高的产品。只看“EVA”三个字,判断不了抗 PID 能力。
  • 电阻率不是一个固定值。它会随温度升高、吸湿而明显下降。常温干燥下看起来够用的胶膜,在湿热环境里可能差出很多。这正是 POE 的优势所在:电阻率高,而且吸水少、不产生醋酸,高温高湿下更稳定。选型时,最好同时看 60 °C 左右的电阻率数据,而不只看常温值。

EPE 是把两者做成三层共挤结构:中间的 POE 负责绝缘和阻水,两侧的 EVA 负责与玻璃、电池片粘接并改善层压工艺性,是目前性能和成本之间应用较广的折中方案。对 PID 更敏感的双玻、N 型组件,POE 或 EPE 已基本成为标配。

05材料因素之三:电池自身的膜层 ​

最后一段回路在电池表面。同样的离子和电荷到了电池跟前,电池“吃不吃这一套”,取决于表面膜层的设计。

  • 针对 PID-s:早期的做法是提高 SiNx 减反射膜的折射率(让膜层更“富硅”、导电性更好,电荷不易在膜上堆积),代价是带来一些光学损失。后来更主流的做法,是在 SiNx 与硅之间增加一层很薄的致密氧化层作为阻挡层。研究还表明,发射极表面的掺杂浓度同样影响 PID-s 的敏感性,并非只由折射率决定。
  • 针对 PID-p:关键在钝化叠层的设计,例如 AlOx 的厚度、SiNx 的组分和叠层结构。这部分各家工艺差异很大,也是同为 TOPCon、不同产品 PID 表现相差悬殊的主要原因。

今天市面上的“抗 PID 电池”,指的就是在这一层做过针对性优化的产品。

06把它们串起来:三道防线 ​

图5 电池、组件、系统三个层面的抗 PID 措施

图5 电池、组件、系统三个层面的抗 PID 措施

业内通常把抗 PID 的措施分成电池、组件、系统三个层面。三道防线不是三选一,而是层层叠加:电池层面降低敏感性,组件层面切断离子和电荷的通路,系统层面消除或缩短电压差的作用时间。

影响因素作用环节越怎样,PID 风险越高
系统电压与极性驱动力对地电压差越大
组件温度材料电阻率、离子迁移温度越高
湿度 / 表面湿润玻璃表面电阻越潮湿,结露越频繁
玻璃钠源、体电阻钠含量高、电阻率低
封装胶膜回路电阻、阻水电阻率低、透水率高
电池膜层自身敏感性未做抗 PID 设计

07写在最后 ​

小结

● 电压差通过漏电流起作用;漏电流 ≈ 电压差 ÷ 回路电阻。
● 温度让材料电阻率下降,湿度让玻璃表面导电;清晨带露水的时段和湿热沿海地区风险最高。
● 玻璃是钠源,胶膜是最关键的一道“闸”,体积电阻率和阻水性是核心指标。
● 抗 PID 靠电池、组件、系统三道防线叠加,而不是某一项单独解决。

到这里,PID“为什么会发生”已经讲完了。接下来的问题更实际:一款组件抗不抗 PID,怎么测?厂家给的 PID 测试报告又该怎么看?下一篇,我们聊测试方法与标准。本文为光伏 PID 系列第 3 篇,欢迎关注后续更新,也欢迎与我们交流。

数据口径:图 2 的漏电流日变化曲线、图 3 的气候风险矩阵均为依据公开研究规律绘制的定性示意,非实测数据。胶膜体积电阻率为常温下的典型量级,在 60 °C 左右通常会下降一到两个数量级,具体以规格书和实测为准。“温度每升高十来度漏电流成倍增加”为经验估计,实际与材料和湿度有关。

参考资料

  1. W. Luo, et al. Potential-induced degradation in photovoltaic modules: a critical review. Energy & Environmental Science 10, 43–68 (2017)
  2. S. Hoffmann, M. Koehl. Effect of humidity and temperature on the potential-induced degradation. Progress in Photovoltaics 22, 173–179 (2014)
  3. P. Hacke, et al. Accelerated testing and modeling of potential-induced degradation as a function of temperature and relative humidity. NREL:osti.gov/biblio/1250678
  4. S. Pingel, et al. Potential induced degradation of solar cells and panels. 35th IEEE PVSC, 2010
  5. IEC TS 62804-1, Photovoltaic (PV) modules – Test methods for the detection of potential-induced degradation – Part 1: Crystalline silicon;IEC 61215-2:2021(MQT 21)
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